Hersteller Produktnummer:
BSO615CT
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSO615CT-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Inventar:
12840966
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Menge
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BSO615CT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.1A, 2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
380pF @ 25V
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
PG-DSO-8
Basis-Produktnummer
BSO615
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
BSO615CXTINTR
BSO615CXTINDKR
BSO615CXTINCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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