Hersteller Produktnummer:
NTHD2102PT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTHD2102PT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Inventar:
12841087
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NTHD2102PT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
8V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 3.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 2.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
715pF @ 6.4V
Leistung - Max
1.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
ChipFET™
Basis-Produktnummer
NTHD21
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
NTHD2102PT1GOSTR
NTHD2102PT1GOS
=NTHD2102PT1GOSCT-DG
NTHD2102PT1GOSCT
NTHD2102PT1GOS-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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