NTGS1135PT1G

Hersteller Produktnummer:

NTGS1135PT1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTGS1135PT1G-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 8 V 4.6A (Ta) 970mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Inventar:

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12858154

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NTGS1135PT1G Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

8 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

4.6A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

1.2V, 4.5V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 4.6A, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

850mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

21 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±6V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

2200 pF @ 6 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

970mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

6-TSOP

Paket / Koffer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Basis-Produktnummer

NTGS11

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

NTGS1135PT1G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

2156-NTGS1135PT1G-ONTR

ONSONSNTGS1135PT1G

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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