Hersteller Produktnummer:
IPS60R800CEAKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPS60R800CEAKMA1-DG
Beschreibung:
CONSUMER
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 8.4A (Tj) 74W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12858155
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IPS60R800CEAKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.4A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 170µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
373 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
74W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IPS60R800
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
2156-IPS60R800CEAKMA1-448
SP001471278
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPS70R600P7SAKMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
177
TEILNUMMER
IPS70R600P7SAKMA1-DG
Einheitspreis
0.27
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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