Hersteller Produktnummer:
NTP18N06
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTP18N06-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 15A (Tc) 48.4W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12858167
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NTP18N06 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
48.4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
NTP18N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
NTP18N06OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPP08N80C3XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1997
TEILNUMMER
SPP08N80C3XKSA1-DG
Einheitspreis
1.00
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