Hersteller Produktnummer:
NTBG1000N170M1
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTBG1000N170M1-DG
Beschreibung:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1700 V 4.3A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventar:
736 Stück Neu Original Auf Lager
13255983
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NTBG1000N170M1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.43Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
4.3V @ 640µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
150 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
51W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK-7
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
488-NTBG1000N170M1TR
488-NTBG1000N170M1DKR
488-NTBG1000N170M1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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