Hersteller Produktnummer:
NTMFWS1D5N08XT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMFWS1D5N08XT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 253A (Tc) 194W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Inventar:
13255987
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NTMFWS1D5N08XT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
253A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.43mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.6V @ 330µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5880 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
194W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
488-NTMFWS1D5N08XT1GTR
488-NTMFWS1D5N08XT1GCT
488-NTMFWS1D5N08XT1GDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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