ISC035N10NM5LF2ATMA1
Hersteller Produktnummer:

ISC035N10NM5LF2ATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

ISC035N10NM5LF2ATMA1-DG

Beschreibung:

ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 164A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

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ISC035N10NM5LF2ATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™ 5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Ta), 164A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 115µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7200 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 217W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8 FL
Paket / Koffer
8-PowerTDFN

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-ISC035N10NM5LF2ATMA1TR
448-ISC035N10NM5LF2ATMA1CT
448-ISC035N10NM5LF2ATMA1DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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