Hersteller Produktnummer:
NDBA100N10BT4H
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NDBA100N10BT4H-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12856888
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NDBA100N10BT4H Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V, 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.9mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2950 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
NDBA10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
2156-NDBA100N10BT4H
2156-DGBA100N10BT4H-ONTR-DG
ONSONSNDBA100N10BT4H
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDB047N10
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FDB047N10-DG
Einheitspreis
1.79
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