Hersteller Produktnummer:
NP40N10YDF-E1-AY
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
NP40N10YDF-E1-AY-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 40A 8HSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Inventar:
12856893
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NP40N10YDF-E1-AY Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3150 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSON
Paket / Koffer
8-PowerLDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIR876ADP-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SIR876ADP-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.63
ERSATZART
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TEILNUMMER
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