Hersteller Produktnummer:
IPB067N08N3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB067N08N3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
5515 Stück Neu Original Auf Lager
12800485
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IPB067N08N3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 73µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3840 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB067
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB067N08N3G
IPB067N08N3 GDKR-DG
IPB067N08N3 GTR-DG
IPB067N08N3 GDKR
IPB067N08N3GATMA1DKR
IPB067N08N3GATMA1CT
IPB067N08N3GATMA1TR
IPB067N08N3 G-DG
SP000443636
IPB067N08N3 GCT-DG
IPB067N08N3 GCT
IPB067N08N3 G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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