Hersteller Produktnummer:
FQP12P10
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQP12P10-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 11.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12849494
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FQP12P10 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 5.75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FQP12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FQP17P10
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FQP17P10-DG
Einheitspreis
0.64
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRF9Z24NPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1872
TEILNUMMER
IRF9Z24NPBF-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
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