Hersteller Produktnummer:
IRF9Z24NPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF9Z24NPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 55 V 12A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
1872 Stück Neu Original Auf Lager
12805992
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IRF9Z24NPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF9Z24
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
IFEINFIRF9Z24NPBF
SP001555934
2156-IRF9Z24NPBFINF
*IRF9Z24NPBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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