Hersteller Produktnummer:
FDH50N50-F133
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDH50N50-F133-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 48A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
446 Stück Neu Original Auf Lager
12849503
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDH50N50-F133 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
UniFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
137 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6460 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
625W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
FDH50N50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
ONSFSCFDH50N50-F133
FDH50N50_F133-DG
2156-FDH50N50-F133-OS
FDH50N50_F133
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
AO4498EL
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
FQI13N50CTU
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
AOB2606L
MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
