Hersteller Produktnummer:
FQA160N08
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQA160N08-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 160A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
12848034
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FQA160N08 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
290 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PN
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
FQA160
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
FQA160N08-DG
2156-FQA160N08-488
FQA160N08OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFP2907PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2867
TEILNUMMER
IRFP2907PBF-DG
Einheitspreis
2.55
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