Hersteller Produktnummer:
FDP5N60NZ
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP5N60NZ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12848042
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FDP5N60NZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UniFET-II™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP5
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
2832-FDP5N60NZ-488
2832-FDP5N60NZ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
AOT4N60
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
423
TEILNUMMER
AOT4N60-DG
Einheitspreis
0.35
ERSATZART
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