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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FCH104N60F
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCH104N60F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
450 Stück Neu Original Auf Lager
12848040
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FCH104N60F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Polar™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 18.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5950 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
357W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
FCH104
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FCH104N60F
HTML-Datenblatt
FCH104N60F-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TSM60NB099PW C1G
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
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TEILNUMMER
TSM60NB099PW C1G-DG
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