Hersteller Produktnummer:
FDP51N25
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP51N25-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12848405
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FDP51N25 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
UniFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 25.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3410 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
320W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP51
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-FDP51N25-OS
ONSONSFDP51N25
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTP50N25T
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
533
TEILNUMMER
IXTP50N25T-DG
Einheitspreis
2.35
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