Hersteller Produktnummer:
FDB070AN06A0
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDB070AN06A0-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 15A (Ta), 80A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
2390 Stück Neu Original Auf Lager
12848414
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FDB070AN06A0 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
175W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB070
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FAIFSCFDB070AN06A0
FDB070AN06A0-DG
FDB070AN06A0CT
FDB070AN06A0TR
FDB070AN06A0DKR
2156-FDB070AN06A0-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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