Hersteller Produktnummer:
IPP600N25N3GXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP600N25N3GXKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
647 Stück Neu Original Auf Lager
12802896
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IPP600N25N3GXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2350 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3-1
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP600
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
IPP600N25N3GXKSA1-DG
IPP600N25N3G
448-IPP600N25N3GXKSA1
IPP600N25N3 G
IPP600N25N3 G-DG
SP000677832
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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