Hersteller Produktnummer:
FDP085N10A
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP085N10A-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 96A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12846572
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FDP085N10A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 96A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2695 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
188W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP085
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK34E10N1,S1X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
5
TEILNUMMER
TK34E10N1,S1X-DG
Einheitspreis
0.53
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