PSMN009-100P,127
Hersteller Produktnummer:

PSMN009-100P,127

Product Overview

Hersteller:

NXP Semiconductors

Teilenummer:

PSMN009-100P,127-DG

Beschreibung:

NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

291 Stück Neu Original Auf Lager
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PSMN009-100P,127 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8250 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
230W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
192
Andere Namen
2156-PSMN009-100P,127-954

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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