Hersteller Produktnummer:
FQP10N20
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQP10N20-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 10A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12846582
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FQP10N20 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
87W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FQP1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RCX100N25
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
429
TEILNUMMER
RCX100N25-DG
Einheitspreis
0.86
ERSATZART
Direct
Teilenummer
IRF630
HERSTELLER
Harris Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
11535
TEILNUMMER
IRF630-DG
Einheitspreis
0.80
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