Hersteller Produktnummer:
FDD6030L
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD6030L-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 12A/50A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 3.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12846161
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FDD6030L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1230 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.2W (Ta), 56W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD6030
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDD6030LCT
2832-FDD6030L-488
FDD6030L-DG
2832-FDD6030LTR
FDD6030LTR
FDD6030LDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD30N03S4L14ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
18945
TEILNUMMER
IPD30N03S4L14ATMA1-DG
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