Hersteller Produktnummer:
DMG4468LK3-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMG4468LK3-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 9.7A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventar:
2455 Stück Neu Original Auf Lager
12887404
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DMG4468LK3-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.95V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
867 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.68W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
DMG4468
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMG4468LK3-13DITR
-DMG4468LK3-13DITR
-DMG4468LK3-13DICT
DMG4468LK3-13DIDKR
DMG4468LK313
-DMG4468LK3-13DIDKR
DMG4468LK3-13DICT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD135N03LGATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
31780
TEILNUMMER
IPD135N03LGATMA1-DG
Einheitspreis
0.26
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FDD6690A
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
17130
TEILNUMMER
FDD6690A-DG
Einheitspreis
0.37
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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