Hersteller Produktnummer:
FDS6692A
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDS6692A-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12846166
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FDS6692A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1610 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.47W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
FDS6692
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDS6692ACT
FDS6692ATR
FDS6692ADKR
2832-FDS6692A
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSO110N03MSGXUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
7364
TEILNUMMER
BSO110N03MSGXUMA1-DG
Einheitspreis
0.32
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