Hersteller Produktnummer:
FCH20N60
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCH20N60-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12846025
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FCH20N60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
SuperFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3080 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
FCH20
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
FCH20N60_NL-DG
FCH20N60_NL
FCH20N60-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPW60R180C7XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
218
TEILNUMMER
IPW60R180C7XKSA1-DG
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