STW27N60M2-EP
Hersteller Produktnummer:

STW27N60M2-EP

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STW27N60M2-EP-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

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STW27N60M2-EP Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ M2-EP
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
163mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1320 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW27

Datenblatt & Dokumente

Design-Ressourcen
STW27N60M2-EP Pspice Model
Datenblätter
ST(P,W)27N60M2-EP Datasheet Spice Model Tutorial for Power MOSFETS

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
497-16490-5

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IXTH24N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
268
TEILNUMMER
IXTH24N65X2-DG
Einheitspreis
2.98
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Teilenummer
IPW60R160C6FKSA1
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IPW60R160C6FKSA1-DG
Einheitspreis
2.22
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