Hersteller Produktnummer:
FCA20N60-F109
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCA20N60-F109-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
12849557
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FCA20N60-F109 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3080 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PN
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
FCA20N60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
FCA20N60_F109-DG
FCA20N60_F109
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FCA20N60
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FCA20N60-DG
Einheitspreis
3.56
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
FCA22N60N
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
545
TEILNUMMER
FCA22N60N-DG
Einheitspreis
4.38
ERSATZART
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ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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