Hersteller Produktnummer:
BSS123-F169
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
BSS123-F169-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH SOT23
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
12997585
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BSS123-F169 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
73 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
BSS123
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-BSS123-F169
488-BSS123-F169TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSS123
HERSTELLER
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
VERFÜGBARE ANZAHL
143884
TEILNUMMER
BSS123-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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