Hersteller Produktnummer:
GT52N10D5
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
GT52N10D5-DG
Beschreibung:
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 71A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5.2x5.86)
Inventar:
14080 Stück Neu Original Auf Lager
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GT52N10D5 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SGT
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
71A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2626 pF @ 50 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
79W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFN (5.2x5.86)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
3141-GT52N10D5DKR
3141-GT52N10D5TR
3141-GT52N10D5CT
4822-GT52N10D5TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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