Hersteller Produktnummer:
GT025N06AM
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
GT025N06AM-DG
Beschreibung:
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 170A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventar:
791 Stück Neu Original Auf Lager
12997602
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GT025N06AM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SGT
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5119 pF @ 30 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
215W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
4822-GT025N06AMTR
3141-GT025N06AMDKR
3141-GT025N06AMCT
3141-GT025N06AMTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
GT025N06AM
HERSTELLER
Goford Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
8000
TEILNUMMER
GT025N06AM-DG
Einheitspreis
0.66
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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