Hersteller Produktnummer:
2SK3816-DL-1E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SK3816-DL-1E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 40A (Ta) 1.65W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Inventar:
12836472
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2SK3816-DL-1E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1780 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.65W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
2SK3816
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
2156-2SK3816-DL-1E
ONSONS2SK3816-DL-1E
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFZ44SPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1685
TEILNUMMER
IRFZ44SPBF-DG
Einheitspreis
1.09
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