FDS86242
Hersteller Produktnummer:

FDS86242

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDS86242-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 4.1A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

27806 Stück Neu Original Auf Lager
12836480
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FDS86242 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
760 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
FDS86

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDS86242CT
2156-FDS86242TR
FDS86242TR
FDS86242DKR
2832-FDS86242TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

FQI12N60TU

MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK

onsemi

3LN01C-TB-E

MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

onsemi

FQP13N50C

MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3

onsemi

2SK4089LS

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FI