Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
3LN01C-TB-E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
3LN01C-TB-E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 150mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-59-3/CP3
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12836492
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
3LN01C-TB-E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
150mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 80mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-59-3/CP3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
3LN01
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3LN01C-TB-EOSTR
3LN01C-TB-EOSCT
3LN01C-TB-E-DG
2156-3LN01C-TB-E-ONTR
3LN01C-TB-EOSDKR
ONSONS3LN01C-TB-E
2832-3LN01C-TB-ETR
2832-3LN01C-TB-E-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTS4001NT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
NTS4001NT1G-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FQP13N50C
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
2SK4089LS
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FI
FQB9N08LTM
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
FDP047N10
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3