Hersteller Produktnummer:
2SA1380E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SA1380E-DG
Beschreibung:
TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 200 V 100 mA 150MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Inventar:
5086 Stück Neu Original Auf Lager
12933878
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2SA1380E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
200 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 2mA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Leistung - Max
1.2 W
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,210
Andere Namen
2156-2SA1380E
ONSONS2SA1380E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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