Hersteller Produktnummer:
2SC4256
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SC4256-DG
Beschreibung:
NPN SILICON TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 1200 V 10 mA 6MHz 1.75 W Through Hole TO-220AB
Inventar:
3959 Stück Neu Original Auf Lager
12933891
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SC4256 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
1200 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
5V @ 200µA, 1mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
10 @ 500µA, 5V
Leistung - Max
1.75 W
Frequenz - Übergang
6MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
290
Andere Namen
2156-2SC4256
ONSONS2SC4256
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2SA1395-AZ
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
2SC4453-3-TB-E
BIP NPN 0.2A 15V
BFN39H6327
TRANS PNP 300V 0.2A SOT223