Hersteller Produktnummer:
2SA1208S-AE
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SA1208S-AE-DG
Beschreibung:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 70 mA 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventar:
91000 Stück Neu Original Auf Lager
12933881
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2SA1208S-AE Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
70 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 3mA, 30mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
140 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
900 mW
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
3-MP
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,049
Andere Namen
ONSSNY2SA1208S-AE
2156-2SA1208S-AE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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