Hersteller Produktnummer:
PH9930L,115
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PH9930L,115-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK56
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 63A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventar:
12822446
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PH9930L,115 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.15V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1565 pF @ 12 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer
SC-100, SOT-669
Basis-Produktnummer
PH99
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
954-PH9930L115
PH9930L T/R-DG
934061155115
PH9930L T/R
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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