Hersteller Produktnummer:
MMIX1F420N10T
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
MMIX1F420N10T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 334A 24SMPD
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 334A (Tc) 680W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Inventar:
29 Stück Neu Original Auf Lager
12822469
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
MMIX1F420N10T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
334A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
670 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4700 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
680W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
24-SMPD
Paket / Koffer
24-PowerSMD, 21 Leads
Basis-Produktnummer
MMIX1F420
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
20
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BUK7C5R4-100EJ
MOSFET N-CH 100V D2PAK-7
MMIX1T132N50P3
MOSFET N-CH 500V 63A POLAR3
IXTA1N100P
MOSFET N-CH 1000V 1A TO263
