Hersteller Produktnummer:
IRFS4227TRLPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFS4227TRLPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 62A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
3850 Stück Neu Original Auf Lager
12822449
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IRFS4227TRLPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
330W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRFS4227
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
IRFS4227TRLPBF-DG
IRFS4227TRLPBFCT
2156-IRFS4227TRLPBFINF
IRFS4227TRLPBFTR
IRFS4227TRLPBFDKR
SP001567810
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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