PDTC124EMB,315
Hersteller Produktnummer:

PDTC124EMB,315

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PDTC124EMB,315-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3

Inventar:

289833 Stück Neu Original Auf Lager
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PDTC124EMB,315 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Frequenz - Übergang
230 MHz
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1006B-3
Basis-Produktnummer
PDTC124

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PDTC124EMB Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
11,225
Andere Namen
NEXNEXPDTC124EMB,315
2156-PDTC124EMB,315

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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