Hersteller Produktnummer:
PDTC143EMB315
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PDTC143EMB315-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
Inventar:
12947308
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PDTC143EMB315 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
230 MHz
Leistung - Max
250 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1006B-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
11,225
Andere Namen
2156-PDTC143EMB315
NEXNXPPDTC143EMB315
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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