PDTB113EQA147
Hersteller Produktnummer:

PDTB113EQA147

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PDTB113EQA147-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 150 MHz 940 mW Surface Mount DFN1010D-3

Inventar:

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PDTB113EQA147 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
PDTB113EQA
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
1 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
1 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
33 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
150 MHz
Leistung - Max
940 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-XDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1010D-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PDTB113EQA147
HTML-Datenblatt
PDTB113EQA147-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,219
Andere Namen
NEXNXPPDTB113EQA147
2156-PDTB113EQA147

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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