PDTC144WM,315
Hersteller Produktnummer:

PDTC144WM,315

Product Overview

Hersteller:

NXP Semiconductors

Teilenummer:

PDTC144WM,315-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount DFN1006-3

Inventar:

120000 Stück Neu Original Auf Lager
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PDTC144WM,315 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1006-3
Basis-Produktnummer
PDTC144

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
11,871
Andere Namen
2156-PDTC144WM,315-NEX
NEXNEXPDTC144WM,315

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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