PDTC114YU,115
Hersteller Produktnummer:

PDTC114YU,115

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PDTC114YU,115-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 200 mW Surface Mount SOT-323

Inventar:

17125 Stück Neu Original Auf Lager
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PDTC114YU,115 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
230 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-323
Basis-Produktnummer
PDTC114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PDTC114YT235 Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
17,125
Andere Namen
NEXNXPPDTC114YU,115
2156-PDTC114YU,115

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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