Hersteller Produktnummer:
PHKD6N02LT,518
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PHKD6N02LT,518-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 10.9A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 10.9A 4.17W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12829211
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PHKD6N02LT,518 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.3nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
950pF @ 10V
Leistung - Max
4.17W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
PHKD6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
PHKD6N02LT /T3-DG
2156-PHKD6N02LT,518-1727
PHKD6N02LT /T3
934056831518
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
2 (1 Year)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF8915TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IRF8915TRPBF-DG
Einheitspreis
0.78
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