Hersteller Produktnummer:
NTMD6N02R2G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMD6N02R2G-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 3.92A 730mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
9878 Stück Neu Original Auf Lager
12848567
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
NTMD6N02R2G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.92A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100pF @ 16V
Leistung - Max
730mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
NTMD6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NTMD6N02R2GOS
NTMD6N02R2GOS-DG
NTMD6N02R2GOSCT
NTMD6N02R2GOSTR
Q8226483ZZZ
2156-NTMD6N02R2G-OS
NTMD6N02R2GOSDKR
ONSONSNTMD6N02R2G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
AO4813
MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOIC
FDY2000PZ
MOSFET 2P-CH 20V 350MA SOT563F
NTJD2152PT2G
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
