BSP110,115
Hersteller Produktnummer:

BSP110,115

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

BSP110,115-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 520mA (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount SOT-223

Inventar:

12830179
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BSP110,115 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
520mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.25W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
568-6812-2
568-6812-1
934000600115
BSP110 T/R
BSP110 T/R-DG
BSP110,115-DG
BSP110115
568-6812-6

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FDT1600N10ALZ
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
6830
TEILNUMMER
FDT1600N10ALZ-DG
Einheitspreis
0.23
ERSATZART
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