FDT1600N10ALZ
Hersteller Produktnummer:

FDT1600N10ALZ

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDT1600N10ALZ-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 10.42W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

Inventar:

6830 Stück Neu Original Auf Lager
12847218
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FDT1600N10ALZ Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.77 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
225 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
10.42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223-4
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
FDT1600

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000
Andere Namen
FDT1600N10ALZCT
FDT1600N10ALZTR
FDT1600N10ALZDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

FQD13N10TM

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

onsemi

FDB9506L-F085

MOSFET N-CH 30V

onsemi

FDS6690A_NBBM015A

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

onsemi

FDD2512

MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252